小米充電器上的GaN是什麼?

GaN,中文名稱是氮化鎵(發音:一聲),是一種化合物,屬於第三代半導體材料,所謂半導體材料,就是像計算機和手機上用的CPU、移動通的基站等所用的基礎材料,通常是以晶圓的形式被大家熟知。

由於禁帶寬度大、導熱率高等優點,GaN器件可以承載更高的溫度,並承載更高的能量密度,可靠性也更好;較大的禁帶寬度和絕緣破壞電場,使得器件導通電阻減少,有利與提升器件整體的能效;電子飽和速度快,以及較高的載流子遷移率,可讓器件高速地工作。因此,利用GaN人們可以獲得具有更大帶寬、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半導體器件。
用一句話概括,即利用GaN製作的產品,體積更小,使用功率也更大。

 新一代充電器

​氮化鎵具有寬禁帶,能承受更高功率等優點,目前應用於MOSFET,射頻器件、照明領域、電源等半導體產品的生產製造,而且從這兩年也開始進軍手機充電器行業。雖然目前受限於成本和產能方面的不足,應用領域尚不是非常廣泛,不過我們有充足的理由相信未來氮化鎵的前景是非常廣闊和光明的。

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